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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 320 W |
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技术参数/产品系列： | IRFB52N15D |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 150 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 150 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 60.0 A |
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技术参数/上升时间： | 47 ns |
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技术参数/下降时间： | 25 ns |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB52N15DPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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