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首页   电子元器件分类   NE650R479A-T1
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型号： NE650R479A-T1
描述： NE650R479A-T1 MESFET-N沟道 15V 0.35A 79A marking/标记 TB 高频应用/高效率
商品二维码
品 牌： NEC (日本电气)
封 装： 79A
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
8.63  元 8.63元
10+:
￥ 10.3560
100+:
￥ 9.8382
500+:
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1000+:
￥ 9.4757
2000+:
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5000+:
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价格
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封装参数/封装：

79A

 

外形尺寸/封装：

79A

 

其他/最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage：

15V

 

其他/栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage：

-7V

 

其他/漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current：

0.35A

 

其他/耗散功率PdPower Dissipation：

2.5W

 

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