技术参数/漏源极电阻： | 6 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 24.0 A |
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技术参数/上升时间： | 20 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1700pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 6 W |
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技术参数/下降时间： | 15 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 2500 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8113PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRF8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V
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FDS6676AS
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6676AS 晶体管, MOSFET, N沟道+肖特基, 14.5 A, 30 V, 0.0045 ohm, 10 V, 1.5 V
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