技术参数/极性： | Dual N-Channel |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 12 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 11.8 A |
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技术参数/上升时间： | 50 ns |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.4 W |
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技术参数/下降时间： | 25 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | PowerPAK |
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外形尺寸/封装： | PowerPAK |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI7234DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SO-8 |
Trans MOSFET N-CH 12V 24.8A 8Pin PowerPAK SO T/R
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SI7234DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
Trans MOSFET N-CH 12V 24.8A 8Pin PowerPAK SO T/R
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SI7940DP-T1-E3
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Vishay Siliconix | 完全替代 | SO-8 |
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC
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SI7940DP-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC
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