普冉半导体：以创新存储技术，连接智慧未来
普冉半导体的核心竞争力源于其深厚的技术积累和持续的创新投入。在NOR Flash领域，公司掌握了从设计到制造的全套关键技术，包括先进的电荷俘获技术（Charge Trap Technology）、低功耗设计技术和高可靠性设计技术。这些技术使普冉的NOR Flash产品在性能、功耗和成本之间达到了优异平衡，读取速度最高可达200MHz，待机功耗低至1μA，数据保存期限超过20年。同时，公司产品支持1.2V至3.6V的宽电压工作范围，能够满足不同应用场景的多样化需求。
