掺杂五价元素对半导体性能的影响与电子元器件采购新选择
热扩散是最早被广泛应用于半导体掺杂的工艺方法之一。该工艺通常在高温炉管中进行，将半导体晶片暴露于含有掺杂元素的气态化合物中。在高温下（通常800-1200°C），掺杂原子从气相转移到固态晶片表面，并借助热运动逐渐向内部扩散。
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