TLC251C、TLC251AC和TLC251BC是低成本、低功耗可编程运算放大器，设计用于单电源或双电源操作。与传统的金属栅CMOS运算放大器不同，这些器件采用德州仪器公司的硅栅LinCMOSTM工艺，在不牺牲金属栅CMOS优点的情况下提供稳定的输入偏置电压。
这一系列的部件可在选定的输入偏置电压等级中使用，并且可以用一个外部电位器使其为零。由于输入共模范围延伸至负轨且功耗极低，因此该系列非常适合电池供电或节能应用。偏压选择管脚可用于编程三种交流性能和功耗水平之一，以适合应用。该系列的特点是操作下降到1.4伏电源，并在单位增益稳定。
根据MIL-STD-883C方法3015.1的测试，这些装置具有内部静电放电（ESD）保护电路，可防止电压高达2000V时发生灾难性故障。然而，在处理这些设备时应小心，因为暴露于ESD可能会导致设备参数性能下降。
由于TLC251C系列具有极高的输入阻抗和较低的输入偏置和偏置电流，因此其应用包括许多以前仅限于BIFET和NFET产品类型的领域。任何使用高阻抗元件且需要小偏移误差的电路都是经济有效地使用这些器件的最佳选择。LinCMOSTM运算放大器具有许多与双极技术相关的特性，而无需传统双极器件的功率损耗。利用TLC251C系列的低电压和低功耗功能，可以实现远程和不可接近的设备应用。
此外，通过用微处理器的逻辑信号驱动偏压选择输入，这些运算放大器可以具有软件控制的性能和功耗。TLC251C系列非常适合解决与单电池和太阳能电池供电应用相关的难题。
TLC251C系列的特点是在0°C到70°C的温度下工作。
产品特性
宽范围电源电压
1.4-V至16-V
真正的单电源运行
共模输入电压范围包括负轨
低噪声…1-kHz时为30nV/Hz（高偏压）
根据MIL-STD-833C方法3015.1，ESD保护超过2000V
订购型号
| 型号 | 试生产 / 生产材料 | 状态 | 温度(oC) | 价格（美元） | Quantity | 封装 | 引脚 | 器件标记 | 封装数量 | 载体 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLC251CD | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 1.03 | 1ku | SOIC (D) | 251C | 75 | TUBE |
| TLC251CDG4 | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 1.03 | 1ku | SOIC (D) | 251C | 75 | TUBE |
| TLC251CDR | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 0.86 | 1ku | SOIC (D) | 251C | 2500 | LARGE T&R |
| TLC251CDRG4 | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 0.86 | 1ku | SOIC (D) | 251C | 2500 | LARGE T&R |
| TLC251CP | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 1.15 | 1ku | PDIP (P) | TLC251CP | 50 | TUBE |
| TLC251CPE4 | 生产 | ACTIVE | 0 to 70 | 1.15 | 1ku | PDIP (P) | TLC251CP | 50 | TUBE |
