8 月 20 日消息，晶合集成官方公众号 19 日宣布，该公司与思特威联合推出业内首颗 1.8 亿像素全画幅（2.77 英寸）CIS，为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，打破了日本索尼在超高像素全画幅 CIS 芯片领域长期垄断地位，为本土产业发展贡献力量。
晶合集成基于自主研发的 55 纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，成功突破单个芯片尺寸限制，确保纳米级制造工艺中拼接芯片的电学性能和光学性能连贯一致。首颗 1.8 亿像素全画幅 CIS 芯片具备多项领先性能，如 1.8 亿超高像素、8K 30fps PixGain HDR 模式高帧率及超高动态范围等，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头。其成功试产标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平道路。
实际上，晶合集成在 CIS 产品研发上一直保持高速推进态势，加大研发投入，引进先进技术和人才，力求在 CIS 领域取得更多突破和进展。
