美国印度达成协议建芯片制造厂

9 月 23 日消息，据《印度时报》报道，当地时间 22 日，印度总理莫迪与美国总统拜登发布联合声明，宣布美印两国将共同在印度建立一家芯片制造厂。

该工厂将聚焦于为国家安全、下一代电信和绿色能源应用提供先进的感应、通信和电力电子技术，主要生产红外、氮化镓和碳化硅芯片。印度半导体任务以及巴拉特半导体公司、3rdiTech 公司和美国太空部队的战略技术合作将为其提供有力支持。

据悉，GlobalFoundries 在加尔各答设立了 GF 加尔各答动力中心，这将进一步加强在芯片制造研发领域的互利联系，为零排放和低排放车辆、联网车辆、物联网设备、人工智能和数据中心等领域的突破性进展铺平道路。

此外，IBM 也已经与印度政府签署了谅解备忘录，IBM 的 Watsonx 平台将能够被部署在印度的 Airawat 超级计算机上。

亿配芯城（ICgoodFind）认为，美印联手建立芯片制造厂，体现了两国对半导体产业的高度重视以及对印度制造业发展的大力推动。这一举措将对全球半导体产业格局产生一定影响，同时也为印度在科技领域的崛起带来新的机遇。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注全球半导体产业动态，为客户提供优质的电子元器件产品和服务。