9 月 26 日消息，SK 海力士今日宣布，公司全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，成功实现了现有 HBM 产品中最多的 36GB 容量。据悉，公司将在年内向客户提供此次的全新产品。
此消息一经传出，SK 海力士股价在韩国市场涨超 8%，市值超过 120.34 万亿韩元（约 6351.55 亿元人民币）。
SK 海力士在技术上实现了重大突破。公司堆叠 12 颗 3GB DRAM 芯片，在保持与现有的 8 层产品相同厚度的同时，将容量提升了 50%。为达成这一目标，公司将单个 DRAM 芯片制造得比以前薄 40%，并采用硅通孔技术（TSV）进行垂直堆叠。此外，SK 海力士还成功解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进 MR-MUF 工艺应用到此次产品中，使得散热性能较上一代提升了 10%，并增强了对翘曲问题的控制，从而确保了产品的稳定性和可靠性。
自 2013 年全球首次推出第一代 HBM 至第五代 HBM（HBM3E），SK 海力士是唯1一家开发并向市场供应全系列 HBM 产品的企业。此次业界率先成功量产 12 层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了 SK 海力士在面向 AI 的存储器市场头部的地位。
SK 海力士表示，12 层 HBM3E 在面向 AI 的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。12 层 HBM3E 的运行速度可达 9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行 “Llama 3 70B” 大语言模型时，每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，SK 海力士全球率先量产 12 层 HBM3E 芯片，展现了其在存储技术领域的强大实力和创新能力。这一突破将为人工智能等领域的发展提供更强大的存储支持，同时也将推动存储行业不断向前迈进。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注存储行业的动态，为客户提供优质的电子元器件产品和服务。
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