北方华创微申请国产半导体设备新刻蚀专利

9 月 29 日，一则令人振奋的消息在半导体领域传开。北京北方华创微电子装备有限公司的 “一种新的刻蚀方法、半导体工艺设备及计算设备” 专利公布，申请公布日为 2024 年 9 月 6 日，申请公布号为 CN118610121A。

本说明书实施例提供的这种刻蚀方法具有重大创新意义。该方法首先通过沉积步在待刻蚀膜层结构表面形成保护膜。这一保护膜可填充开口侧壁的损伤部分，以提高开口侧壁的平整度。

然而，随着开口刻蚀深度的增加，通过交替进行刻蚀步和沉积步进行开口的刻蚀会出现开口陡直度降低的问题。为了解决这一难题，在交替进行多次刻蚀步和沉积步后，利用使用更高刻蚀速率的工艺气体的修饰步对开口的侧壁进行修饰。 这样可以去除侧壁中突出部分，并扩宽开口底部宽度，以实现提高开口侧壁的陡直度的目的。从而在实现高深宽比的开口侧壁的刻蚀的基础上，实现了提高开口侧壁的表面平整度和开口整体的陡直度的目的。

亿配芯城（ICgoodFind）总结：北方华创的这项新刻蚀方法专利公布，为半导体工艺带来了新的突破和发展机遇。该方法在提高开口侧壁平整度和陡直度方面的创新，将对半导体制造产生积极影响。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注半导体领域的技术创新，为客户提供优质的电子元器件和专业的服务，共同推动半导体行业的进步。