9月2日消息，据彭博社采访，博世即将完成对美国芯片制造商TSI Semiconductors的收购。这家专用集成电路（ASIC）的代工厂位于加利福尼亚州罗斯维尔，拥有250名员工。TSI Semiconductors主要开发和生产大量8英寸硅片芯片，应用于移动、电信、能源和生命科学行业。
未来几年，博世计划在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元，并将TSI Semiconductors制造设施改造为最先进的工艺。博世收购TSI Semiconductors后，将从2026年开始，在基于创新材料碳化硅（SiC）的8英寸晶圆上生产第一批芯片。这一举措将系统性地加强博世在半导体领域的业务，并计划在2030年底之前大幅扩展其全球SiC 芯片产品组合。
博世管理委员会主席Stefan Hartung博士表示：“通过收购TSI Semiconductors，我们正在一个重要的销售市场建立SiC芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造。罗斯威尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的SiC芯片。”
罗斯威尔的新工厂将加强博世的国际半导体制造网络。从2026年开始，经过重组阶段后，首批SiC 芯片将在8英寸晶圆上生产。博世早期就投资了SiC芯片的研发和生产。自2021年以来，该公司一直在斯图加特附近的罗伊特林根工厂使用自有工艺进行批量生产。
到2025年底，该公司将把罗伊特林根的洁净室面积从约35000平方米扩大到超过44000平方米。博世管理委员会成员兼移动解决方案业务部门主席Markus Heyn博士表示：“SiC 芯片是电动汽车的关键组件。通过在国际上扩展我们的半导体业务，从而加强在重要电动汽车市场的本地影响力。”
据预计，到2025年，每辆新车中将平均集成25颗芯片。此次收购将为博世提供更多机会，以进一步扩大其半导体业务，并为电动汽车市场提供更强大的技术支持。
