1 月 14 日，韩媒《ChosunBiz》援引 Omdia 数据披露重磅行业信息：全球三大 DRAM 内存原厂 —— 三星电子、SK 海力士、美光，2026 年总产能将锁定在1800 万片晶圆左右，相较 2025 年仅增长约 5%，低速增长态势将进一步巩固当前 DRAM 市场的供需紧平衡格局。
受制于 DRAM 晶圆厂建设周期长、投入成本高的特性，2026 年的产能增幅并非来自新增产线，核心依赖两大支撑：一是对现有生产线的高效挖潜利用，最大化提升产能利用率；二是SK 海力士清州 M15X 工厂的全面投运，成为年内产能增长的关键增量。值得关注的是，三大原厂正推进向 1c/1γ 先进制程的技术升级，这一过程必然会对短期产量形成一定影响，进一步限制产能释放节奏。
行业普遍预判，三大原厂真正的新一波 DRAM 产能释放将推迟至 2027~2028 年，届时新增产线逐步落地，才有望带动行业产能实现实质性跃升。当前的低速产能增长，叠加 AI 服务器、数据中心等领域对 DRAM 的强劲需求，将持续支撑内存市场景气度。
亿配芯城（ICgoodFind）：2026 年 DRAM 产能低速增长，供需紧平衡下行业景气度有望延续，将利好产业链相关企业。
