8月18日消息，据电子时报报道，为了巩固其在NAND闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过300层的3D NAND，旨在以生产成本优势超越竞争对手。
韩国媒体《首尔经济日报》近日援引业内人士消息称，三星计划于2024年量产超过300层的第9代3D NAND。预计将采用双堆叠技术生产，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们组装在一起。2020年，三星从第7代176层3D NAND芯片开始首次采用双堆叠技术。
在这个技术上，三星已经成为了市场的领导者。其采用双堆叠技术生产的第8代1Y 1T 3D NAND已经成为了市场上的主流产品，而其他厂商还在生产64层或者96层的3D NAND。
然而，三星并没有止步于此。据业内人士透露，三星计划在第9代3D NAND中再次采用双堆叠技术，生产超过300层的NAND芯片。这将使三星进一步巩固其在市场上的领先地位，并继续保持其生产成本的优势。
与三星不同，SK海力士计划采用三重堆叠技术来生产3D NAND。该公司计划在未来的产品中采用这项技术，生产出超过400层的NAND芯片。然而，这项技术可能会带来更高的成本，因为需要生产三组独立的3D NAND层，然后将它们组合在一起。
在去年10月份举办的“三星技术日2022”上，三星公布了到2030年实现堆叠多达1000层的愿景。当时，业内专家猜测，在第9代3D NAND之后，三星可能会在第10代430层产品中采用三重堆叠技术。韩国业内人士一致认为，如果不采用三重堆叠工艺，3D NAND要实现超过400层的堆叠将是一个挑战。
然而，三重堆叠技术和双堆叠技术在成本和效率方面仍然存在显著差异。显然，使用双堆叠工艺在原材料和生产成本方面具有优势。这意味着，三星采用双堆叠技术生产超过300层的3D NAND，将进一步巩固其在市场上的领先地位，并继续保持其生产成本的优势。
随着技术的不断发展，NAND闪存市场将会越来越激烈。各大厂商将会继续投入巨资，不断研发新的技术，以巩固自己在市场上的地位。而作为市场的领导者，三星采用双堆叠技术生产超过300层的3D NAND，无疑将会成为市场的一大亮点。
