SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。
不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。
用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。
2. 功率器材的特征
高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。
而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 绝缘栅极双极型晶体管）等少量载流子器材（双极型器材），但是却存在开关损耗大 的问题，其结果是由此发生的发热会限制IGBT的高频驱动。
别的，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC功率器材即便在高温下也能够稳定作业
以上就是中国电子元器件网来的SiC半导体特征
