8 月 28 日消息，鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所强强联手，在第四代化合物半导体的关键技术领域成功实现了重大突破。这一突破为第四代半导体氧化镓 Ga2O3 在高压、高温应用领域的发展带来了全新契机，极大地提升了其高压耐受性能，为未来高功率电子元件的蓬勃发展开辟了崭新的可能性。
第四代半导体氧化镓 Ga2O3 凭借其优秀的性能表现，被各界广泛视作下一代半导体材料的杰出代表。它拥有超宽能隙（4.8 eV）以及超高临界击穿场强（8 MV/cm）等显著特性，与现有的硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料相比，优势极为明显。氧化镓的这些独特特性，使其在电动车、电网系统、航空航天等高功率应用场景中具有得天独厚的适用性。
鸿海方面坚定地认为，氧化镓元件有望成为极竞争力的电力电子元件，完全有能力与碳化硅元件在市场上一较高下。目前，在氧化镓研究领域，中国、日本和美国处于领先地位。其中，日本已经成功实现了 4 英寸和 6 英寸氧化镓晶圆的产业化，而在中国，众多科研机构和企业也在积极推进相关研究与产品开发，呈现出一片热火朝天的景象。
本次研究 “Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies”，通过巧妙运用磷离子布植和快速热退火技术，成功制造出了第四代半导体 P 型 Ga2O3。在此基础上，又重新生长了 N 型和 N + 型 Ga2O3，最终形成了 PN Ga2O3 二极管。实验结果令人振奋，展现出了极为优异的电性表现。这一突破性技术不仅大幅提升了元件的稳定性和可靠性，还显著降低了电阻，为氧化镓元件的实际应用奠定了坚实基础。
实验结果清晰地显示，该元件具有 4.2 V 的开启电压和 900 V 的击穿电压，充分彰显出其优秀的高压耐受性能。此次技术突破，无疑为台湾在全球化合物半导体产业中的领先地位增添了新的优势，也为未来的高压半导体应用开创了全新的可能。同时，这也再次有力地证明了鸿海在技术创新和产业发展方面的优秀能力。
展望未来，鸿海研究院充满信心地表示，随着氧化镓技术的不断进一步发展，可以满怀期待地看到其在更多高压、高温和高频领域中得到更为广泛的应用。鸿海将坚定不移地继续致力于此领域的研究，为全球技术创新和产业进步贡献更大的力量。
亿配芯城（ICgoodFind）认为，鸿海研究院与阳明交大在第四代半导体氧化镓技术上的重大突破，为半导体产业的发展注入了新的活力。这一突破不仅展示了技术创新的强大力量，也为未来高功率电子元件的发展提供了新的方向。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注半导体领域的技术进步，为客户提供更加优质的芯片产品和服务，共同推动半导体产业的繁荣发展。
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