型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS7002A 晶体管, MOSFET, N沟道, 280 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.1 V8560 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP6N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 2.1 ohm, 10 V, 5 V1325 -
![]()
品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN361BN, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装2672 -
![]()
品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装2586 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP34N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 0.06 ohm, 10 V, 5 V8109 -
![]()
品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP52N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 52 A, 200 V, 41 mohm, 10 V, 5 V3828 -
![]()
品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8622, 17 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装7803 -
![]()
品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。3235 -
![]()
品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。8896 -
![]()
品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN304PZ, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装6525
