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品类: 双极性晶体管描述: NPN 晶体管，高达 1.5A，Diodes Inc ### 双极晶体管，Diodes Inc ### 晶体管，Diodes Inc15315-24￥2.254525-49￥2.087550-99￥1.9706100-499￥1.9205500-2499￥1.88712500-4999￥1.84545000-9999￥1.8287≥10000￥1.8036 -
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品类: 双极性晶体管描述: FMG9A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字 晶体管 - SC-74A494420-49￥0.283550-99￥0.2625100-299￥0.2520300-499￥0.2436500-999￥0.23731000-4999￥0.23315000-9999￥0.2289≥10000￥0.2247 -
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 12V 1.5A 5Pin15465-24￥2.025025-49￥1.875050-99￥1.7700100-499￥1.7250500-2499￥1.69502500-4999￥1.65755000-9999￥1.6425≥10000￥1.6200 -
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品类: IGBT晶体管描述: 成型类型模块 Molding Type Module47891-9￥299.356510-49￥291.547250-99￥285.5601100-199￥283.4776200-499￥281.9157500-999￥279.83331000-1999￥278.5317≥2000￥277.2302 -
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品类: 双极性晶体管描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT5423320-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor43445-24￥4.684525-49￥4.337550-99￥4.0946100-499￥3.9905500-2499￥3.92112500-4999￥3.83445000-9999￥3.7997≥10000￥3.7476 -
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose647720-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 双极性晶体管描述: Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/22K 47K144520-49￥0.270050-99￥0.2500100-299￥0.2400300-499￥0.2320500-999￥0.22601000-4999￥0.22205000-9999￥0.2180≥10000￥0.2140 -
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品类: MOS管描述: TO-220F N-CH 100V 41A54545-24￥5.346025-49￥4.950050-99￥4.6728100-499￥4.5540500-2499￥4.47482500-4999￥4.37585000-9999￥4.3362≥10000￥4.2768 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN(集电极发射极结二极管) 800V 3A802010-99￥7.3800100-499￥7.0110500-999￥6.76501000-1999￥6.75272000-4999￥6.70355000-7499￥6.64207500-9999￥6.5928≥10000￥6.5682 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial436010-99￥9.7560100-499￥9.2682500-999￥8.94301000-1999￥8.92672000-4999￥8.86175000-7499￥8.78047500-9999￥8.7154≥10000￥8.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚45245-49￥14.121950-199￥13.5184200-499￥13.1804500-999￥13.09601000-2499￥13.01152500-4999￥12.91495000-7499￥12.8546≥7500￥12.7942 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail345420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3Pin TO-247 Tube56945-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。42625-49￥29.612750-199￥28.3472200-499￥27.6385500-999￥27.46141000-2499￥27.28422500-4999￥27.08175000-7499￥26.9552≥7500￥26.8286 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3Pin TO-247 Tube81395-49￥24.406250-199￥23.3632200-499￥22.7791500-999￥22.63311000-2499￥22.48712500-4999￥22.32025000-7499￥22.2159≥7500￥22.1116 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39025-49￥19.527350-199￥18.6928200-499￥18.2255500-999￥18.10871000-2499￥17.99182500-4999￥17.85835000-7499￥17.7749≥7500￥17.6914 -
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品类: IGBT晶体管描述: FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止 沟道 IGBT-TO-3PN95705-49￥23.435150-199￥22.4336200-499￥21.8728500-999￥21.73261000-2499￥21.59232500-4999￥21.43215000-7499￥21.3320≥7500￥21.2318 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARK®2 335mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT185710-99￥9.6720100-499￥9.1884500-999￥8.86601000-1999￥8.84992000-4999￥8.78545000-7499￥8.70487500-9999￥8.6403≥10000￥8.6081 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 250V 41A 3Pin TO-252 T/R24125-49￥12.647750-199￥12.1072200-499￥11.8045500-999￥11.72891000-2499￥11.65322500-4999￥11.56675000-7499￥11.5127≥7500￥11.4586 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53315-24￥6.318025-49￥5.850050-99￥5.5224100-499￥5.3820500-2499￥5.28842500-4999￥5.17145000-9999￥5.1246≥10000￥5.0544 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Tube85185-49￥14.742050-199￥14.1120200-499￥13.7592500-999￥13.67101000-2499￥13.58282500-4999￥13.48205000-7499￥13.4190≥7500￥13.3560 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor 这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试，符合 AEC-Q101 标准。 逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用：汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码** 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注 所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。857410-99￥11.7360100-499￥11.1492500-999￥10.75801000-1999￥10.73842000-4999￥10.66025000-7499￥10.56247500-9999￥10.4842≥10000￥10.4450 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail66145-49￥19.948550-199￥19.0960200-499￥18.6186500-999￥18.49931000-2499￥18.37992500-4999￥18.24355000-7499￥18.1583≥7500￥18.0730 -
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品类: MOS管描述: MOSFET Digital FET P-Ch512720-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。17931-9￥1422.652010-24￥1409.718825-49￥1403.252250-99￥1396.7856100-149￥1390.3190150-249￥1383.8524250-499￥1377.3858≥500￥1370.9192 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 600A49571-9￥3041.852010-24￥3014.198825-49￥3000.372250-99￥2986.5456100-149￥2972.7190150-249￥2958.8924250-499￥2945.0658≥500￥2931.2392
