型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: IRFL024ZTRPBF 编带95955-24￥1.701025-49￥1.575050-99￥1.4868100-499￥1.4490500-2499￥1.42382500-4999￥1.39235000-9999￥1.3797≥10000￥1.3608 -
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.045Ω; ID 27A; D-Pak (TO-252AA); PD 68W89685-24￥5.413525-49￥5.012550-99￥4.7318100-499￥4.6115500-2499￥4.53132500-4999￥4.43115000-9999￥4.3910≥10000￥4.3308 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。40505-24￥2.281525-49￥2.112550-99￥1.9942100-499￥1.9435500-2499￥1.90972500-4999￥1.86755000-9999￥1.8506≥10000￥1.8252 -
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品类: MOS管描述: 100V,31A,N沟道MOSFET721810-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: IRFR2405TRPBF 编带99705-24￥3.928525-49￥3.637550-99￥3.4338100-499￥3.3465500-2499￥3.28832500-4999￥3.21565000-9999￥3.1865≥10000￥3.1428 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8Pin PQFN T/R84205-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 1.8 V11845-24￥2.632525-49￥2.437550-99￥2.3010100-499￥2.2425500-2499￥2.20352500-4999￥2.15485000-9999￥2.1353≥10000￥2.1060 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET55415-24￥1.849525-49￥1.712550-99￥1.6166100-499￥1.5755500-2499￥1.54812500-4999￥1.51395000-9999￥1.5002≥10000￥1.4796 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFH6200TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 20 V, 0.00075 ohm, 10 V, 800 mV 新674010-99￥6.3840100-499￥6.0648500-999￥5.85201000-1999￥5.84142000-4999￥5.79885000-7499￥5.74567500-9999￥5.7030≥10000￥5.6818 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFH5304TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 79A, 30V, 3.6W72875-24￥2.146525-49￥1.987550-99￥1.8762100-499￥1.8285500-2499￥1.79672500-4999￥1.75705000-9999￥1.7411≥10000￥1.7172 -
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品类: MOS管描述: PQFN（5x6）单芯片焊盘468610-99￥6.5160100-499￥6.1902500-999￥5.97301000-1999￥5.96212000-4999￥5.91875000-7499￥5.86447500-9999￥5.8210≥10000￥5.7992 -
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品类: MOS管描述: N沟道,150V,51A,32mΩ@10V611710-99￥8.0760100-499￥7.6722500-999￥7.40301000-1999￥7.38952000-4999￥7.33575000-7499￥7.26847500-9999￥7.2146≥10000￥7.1876 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 75V 17A 8Pin PQFN EP T/R159110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。61905-24￥5.292025-49￥4.900050-99￥4.6256100-499￥4.5080500-2499￥4.42962500-4999￥4.33165000-9999￥4.2924≥10000￥4.2336 -
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品类: MOS管描述: VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V79975-49￥13.946450-199￥13.3504200-499￥13.0166500-999￥12.93321000-2499￥12.84982500-4999￥12.75445000-7499￥12.6948≥7500￥12.6352 -
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品类: MOS管描述: 650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET63101-9￥60.202510-99￥57.5850100-249￥57.1139250-499￥56.7474500-999￥56.17161000-2499￥55.90982500-4999￥55.5434≥5000￥55.2293 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF6727MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新809410-99￥9.5040100-499￥9.0288500-999￥8.71201000-1999￥8.69622000-4999￥8.63285000-7499￥8.55367500-9999￥8.4902≥10000￥8.4586 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IRF8327STRPBF DirectFET95765-24￥2.173525-49￥2.012550-99￥1.8998100-499￥1.8515500-2499￥1.81932500-4999￥1.77915000-9999￥1.7630≥10000￥1.7388 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R53835-24￥3.267025-49￥3.025050-99￥2.8556100-499￥2.7830500-2499￥2.73462500-4999￥2.67415000-9999￥2.6499≥10000￥2.6136 -
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品类: MOS管描述: SOIC N-CH 30V 14A36585-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
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品类: MOS管描述: 40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFET503810-99￥8.1480100-499￥7.7406500-999￥7.46901000-1999￥7.45542000-4999￥7.40115000-7499￥7.33327500-9999￥7.2789≥10000￥7.2517 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD50N04S4-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V24535-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
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品类: 双极性晶体管描述: NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管170720-49￥0.108050-99￥0.1000100-299￥0.0960300-499￥0.0928500-999￥0.09041000-4999￥0.08885000-9999￥0.0872≥10000￥0.0856 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，Diodes Inc. ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.34535-24￥2.146525-49￥1.987550-99￥1.8762100-499￥1.8285500-2499￥1.79672500-4999￥1.75705000-9999￥1.7411≥10000￥1.7172 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR VEC2616-TL-W 双路场效应管, MOSFET, N和P, 3 A, 60 V, 0.062 ohm, 10 V, 2.6 V 新64895-24￥3.618025-49￥3.350050-99￥3.1624100-499￥3.0820500-2499￥3.02842500-4999￥2.96145000-9999￥2.9346≥10000￥2.8944 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGY50NC60WD 系列 600 V 50 A 超快 IGBT 通孔 - MAX-24791261-9￥97.899510-99￥93.6430100-249￥92.8768250-499￥92.2809500-999￥91.34451000-2499￥90.91882500-4999￥90.3229≥5000￥89.8122 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。319710-99￥8.5920100-499￥8.1624500-999￥7.87601000-1999￥7.86172000-4999￥7.80445000-7499￥7.73287500-9999￥7.6755≥10000￥7.6469 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010-99￥11.1480100-499￥10.5906500-999￥10.21901000-1999￥10.20042000-4999￥10.12615000-7499￥10.03327500-9999￥9.9589≥10000￥9.9217 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF9540NLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V445910-99￥11.5440100-499￥10.9668500-999￥10.58201000-1999￥10.56282000-4999￥10.48585000-7499￥10.38967500-9999￥10.3126≥10000￥10.2742
