型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 40V N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET79585+￥17.222450+￥16.4864200+￥16.0742500+￥15.97121000+￥15.86822500+￥15.75045000+￥15.67687500+￥15.6032 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81935+￥14.285750+￥13.6752200+￥13.3333500+￥13.24791000+￥13.16242500+￥13.06475000+￥13.00377500+￥12.9426 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7678, 17.5 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装87225+￥3.348025+￥3.100050+￥2.9264100+￥2.8520500+￥2.80242500+￥2.74045000+￥2.715610000+￥2.6784 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60815+￥2.389525+￥2.212550+￥2.0886100+￥2.0355500+￥2.00012500+￥1.95595000+￥1.938210000+￥1.9116 -
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品类: MOS管描述: 场效应管, N通道, MOSFET, 25V, 34A, 8-PWR5640055+￥16.965050+￥16.2400200+￥15.8340500+￥15.73251000+￥15.63102500+￥15.51505000+￥15.44257500+￥15.3700 -
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品类: 肖特基二极管描述: ON Semiconductor 二极管 FDLL457A, Io=200mA, Vrev=70V, 2引脚 SOD-80封装156220+￥0.607550+￥0.5625100+￥0.5400300+￥0.5220500+￥0.50851000+￥0.49955000+￥0.490510000+￥0.4815 -
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品类: TVS二极管描述: 高电导率低漏二极管 High Conductance Low Leakage Diode73155+￥2.646025+￥2.450050+￥2.3128100+￥2.2540500+￥2.21482500+￥2.16585000+￥2.146210000+￥2.1168 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6306P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -600 mA, -20 V, 0.3 ohm, -4.5 V, -1.2 V567010+￥9.2040100+￥8.7438500+￥8.43701000+￥8.42172000+￥8.36035000+￥8.28367500+￥8.222210000+￥8.1916 -
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品类: TVS二极管描述: Diode Small Signal Switching 175V 0.5A 2Pin DO-35 T/R521410+￥0.918050+￥0.8704100+￥0.8364300+￥0.8160500+￥0.79561000+￥0.77522500+￥0.74465000+￥0.7378 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6Pin MLP EP T/R75695+￥3.307525+￥3.062550+￥2.8910100+￥2.8175500+￥2.76852500+￥2.70735000+￥2.682810000+￥2.6460 -
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品类: MOS管描述: FDD16AN08A0 系列 75 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA71935+￥6.588025+￥6.100050+￥5.7584100+￥5.6120500+￥5.51442500+￥5.39245000+￥5.343610000+￥5.2704 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC8327L, 14 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装76575+￥5.062525+￥4.687550+￥4.4250100+￥4.3125500+￥4.23752500+￥4.14385000+￥4.106310000+￥4.0500 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。45505+￥15.970550+￥15.2880200+￥14.9058500+￥14.81031000+￥14.71472500+￥14.60555000+￥14.53737500+￥14.4690 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。35035+￥5.089525+￥4.712550+￥4.4486100+￥4.3355500+￥4.26012500+￥4.16595000+￥4.128210000+￥4.0716 -
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品类: MOS管描述: 80V,4.2mΩ,100A,N沟道MOSFET15585+￥14.086850+￥13.4848200+￥13.1477500+￥13.06341000+￥12.97912500+￥12.88285000+￥12.82267500+￥12.7624 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 14A DPAK90351+￥53.667810+￥50.5885100+￥48.3010250+￥47.9491500+￥47.59721000+￥47.20132500+￥46.84945000+￥46.6294 -
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品类: MOS管描述: 集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20 V， -3.0 A， 120米？ Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20 V, -3.0 A, 120 m105010+￥0.837050+￥0.7936100+￥0.7626300+￥0.7440500+￥0.72541000+￥0.70682500+￥0.67895000+￥0.6727 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60625+￥3.469525+￥3.212550+￥3.0326100+￥2.9555500+￥2.90412500+￥2.83995000+￥2.814210000+￥2.7756 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。662810+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。319510+￥7.7280100+￥7.3416500+￥7.08401000+￥7.07112000+￥7.01965000+￥6.95527500+￥6.903710000+￥6.8779 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。60435+￥4.090525+￥3.787550+￥3.5754100+￥3.4845500+￥3.42392500+￥3.34825000+￥3.317910000+￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。66885+￥1.363525+￥1.262550+￥1.1918100+￥1.1615500+￥1.14132500+￥1.11615000+￥1.106010000+￥1.0908 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。619310+￥0.904550+￥0.8576100+￥0.8241300+￥0.8040500+￥0.78391000+￥0.76382500+￥0.73375000+￥0.7270 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC637AN, 6.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装15475+￥2.956525+￥2.737550+￥2.5842100+￥2.5185500+￥2.47472500+￥2.42005000+￥2.398110000+￥2.3652 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD050N03B, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装30065+￥4.266025+￥3.950050+￥3.7288100+￥3.6340500+￥3.57082500+￥3.49185000+￥3.460210000+￥3.4128 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC654P 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.6 A, -30 V, 0.063 ohm, -10 V, -1.9 V463210+￥1.215050+￥1.1520100+￥1.1070300+￥1.0800500+￥1.05301000+￥1.02602500+￥0.98555000+￥0.9765 -
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品类: MOS管描述: FDC6392S 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.2A 1A 0.34V SOT-163/SOT23-6 marking/标记 392 直流转换器/DC-DC转换器/低栅极电荷/快速开关658210+￥1.093550+￥1.0368100+￥0.9963300+￥0.9720500+￥0.94771000+￥0.92342500+￥0.88705000+￥0.8789
