型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P759520-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: FQA11N90C_F109 N沟道MOSFET QFET 900 V， 11 A， 1.1欧姆 FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm48931-9￥39.259610-99￥37.0070100-249￥35.3336250-499￥35.0762500-999￥34.81881000-2499￥34.52912500-4999￥34.2717≥5000￥34.1108 -
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET QFET® 900 V， 11.4 ， 960英里© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mΩ58395-49￥13.911350-199￥13.3168200-499￥12.9839500-999￥12.90071000-2499￥12.81742500-4999￥12.72235000-7499￥12.6629≥7500￥12.6034 -
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品类: MOS管描述: 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET102610-99￥6.0360100-499￥5.7342500-999￥5.53301000-1999￥5.52292000-4999￥5.48275000-7499￥5.43247500-9999￥5.3922≥10000￥5.3720 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3Pin(3+Tab) TO-3PN945420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 电子元器件分类描述:25191-9￥39.845210-99￥37.5590100-249￥35.8607250-499￥35.5994500-999￥35.33811000-2499￥35.04422500-4999￥34.7829≥5000￥34.6196 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。11745-49￥13.256150-199￥12.6896200-499￥12.3724500-999￥12.29311000-2499￥12.21372500-4999￥12.12315000-7499￥12.0665≥7500￥12.0098
