型号/品牌/封装
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价格(含税)
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品类: MOS管描述: INFINEON IPB010N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2.8 V70255+￥34.339550+￥32.8720200+￥32.0502500+￥31.84481000+￥31.63932500+￥31.40455000+￥31.25787500+￥31.1110 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-24764401+￥120.106010+￥116.972850+￥114.5707100+￥113.7352200+￥113.1085500+￥112.27301000+￥111.75082000+￥111.2286 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT4N20LTF, 850 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装61405+￥2.362525+￥2.187550+￥2.0650100+￥2.0125500+￥1.97752500+￥1.93385000+￥1.916310000+￥1.8900 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF16N25C, 15.6 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装697910+￥11.0040100+￥10.4538500+￥10.08701000+￥10.06872000+￥9.99535000+￥9.90367500+￥9.830210000+￥9.7936 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 600 V, 3.6 ohm, 10 V, 4 V184710+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。61925+￥2.308525+￥2.137550+￥2.0178100+￥1.9665500+￥1.93232500+￥1.88965000+￥1.872510000+￥1.8468 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5070 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81695+￥5.346025+￥4.950050+￥4.6728100+￥4.5540500+￥4.47482500+￥4.37585000+￥4.336210000+￥4.2768 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB33N10TM, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装67185+￥6.196525+￥5.737550+￥5.4162100+￥5.2785500+￥5.18672500+￥5.07205000+￥5.026110000+￥4.9572 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD1N60CTM, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装87915+￥3.699025+￥3.425050+￥3.2332100+￥3.1510500+￥3.09622500+￥3.02775000+￥3.000310000+￥2.9592 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD13N10TM, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装27065+￥3.415525+￥3.162550+￥2.9854100+￥2.9095500+￥2.85892500+￥2.79575000+￥2.770410000+￥2.7324 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB44N10TM, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装598210+￥8.8680100+￥8.4246500+￥8.12901000+￥8.11422000+￥8.05515000+￥7.98127500+￥7.922110000+￥7.8925 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB50N06TM, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装37775+￥4.914025+￥4.550050+￥4.2952100+￥4.1860500+￥4.11322500+￥4.02225000+￥3.985810000+￥3.9312 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 60V 47A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R10885+￥6.412525+￥5.937550+￥5.6050100+￥5.4625500+￥5.36752500+￥5.24885000+￥5.201310000+￥5.1300 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP036N10A, 214 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装39895+￥28.126850+￥26.9248200+￥26.2517500+￥26.08341000+￥25.91512500+￥25.72285000+￥25.60267500+￥25.4824 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。41575+￥5.859025+￥5.425050+￥5.1212100+￥4.9910500+￥4.90422500+￥4.79575000+￥4.752310000+￥4.6872 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8Pin Power 56 EP T/R58515+￥5.994025+￥5.550050+￥5.2392100+￥5.1060500+￥5.01722500+￥4.90625000+￥4.861810000+￥4.7952 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMS4435BZ, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装26125+￥5.710525+￥5.287550+￥4.9914100+￥4.8645500+￥4.77992500+￥4.67425000+￥4.631910000+￥4.5684 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86520L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 60 V, 0.0067 ohm, 10 V, 1.8 V69165+￥6.574525+￥6.087550+￥5.7466100+￥5.6005500+￥5.50312500+￥5.38145000+￥5.332710000+￥5.2596 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。919310+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86500L 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 1.8 V384510+￥8.1480100+￥7.7406500+￥7.46901000+￥7.45542000+￥7.40115000+￥7.33327500+￥7.278910000+￥7.2517 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。526610+￥7.5960100+￥7.2162500+￥6.96301000+￥6.95032000+￥6.89975000+￥6.83647500+￥6.785810000+￥6.7604 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。47815+￥5.373025+￥4.975050+￥4.6964100+￥4.5770500+￥4.49742500+￥4.39795000+￥4.358110000+￥4.2984 -
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品类: MOS管描述: FDMS7660AS: N 沟道，PowerTrench SyncFET，30V，42A，2.4mΩ899810+￥6.6480100+￥6.3156500+￥6.09401000+￥6.08292000+￥6.03865000+￥5.98327500+￥5.938910000+￥5.9167 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 30V 18A PT853725+￥2.268025+￥2.100050+￥1.9824100+￥1.9320500+￥1.89842500+￥1.85645000+￥1.839610000+￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 24A 12Pin PQFN T/R230010+￥10.6560100+￥10.1232500+￥9.76801000+￥9.75022000+￥9.67925000+￥9.59047500+￥9.519410000+￥9.4838 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。274810+￥7.8360100+￥7.4442500+￥7.18301000+￥7.16992000+￥7.11775000+￥7.05247500+￥7.000210000+￥6.9740 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA3023PZ, 2.9 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装97735+￥3.307525+￥3.062550+￥2.8910100+￥2.8175500+￥2.76852500+￥2.70735000+￥2.682810000+￥2.6460
