型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 200V 120A 3Pin(3+Tab) TO-3P79675-24￥1.701025-49￥1.575050-99￥1.4868100-499￥1.4490500-2499￥1.42382500-4999￥1.39235000-9999￥1.3797≥10000￥1.3608 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 1kV 750mA To26386975-49￥21.188750-199￥20.2832200-499￥19.7761500-999￥19.64941000-2499￥19.52262500-4999￥19.37775000-7499￥19.2872≥7500￥19.1966 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 300V 72A To-3p22071-9￥41.236010-99￥38.8700100-249￥37.1124250-499￥36.8420500-999￥36.57161000-2499￥36.26742500-4999￥35.9970≥5000￥35.8280 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 75V 200A 3Pin(3+Tab) TO-24796645-49￥15.619550-199￥14.9520200-499￥14.5782500-999￥14.48481000-2499￥14.39132500-4999￥14.28455000-7499￥14.2178≥7500￥14.1510 -
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 55V 90A705120-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: N沟道 1.5kV 12A48901-9￥94.265510-99￥90.1670100-249￥89.4293250-499￥88.8555500-999￥87.95381000-2499￥87.54402500-4999￥86.9702≥5000￥86.4784 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds676620-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备1254 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备9512 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3504
