一、品牌基础介绍
全称：Infineon Technologies AG（英飞凌科技股份公司）
国别：德国，总部位于巴伐利亚州纽必堡（慕尼黑近郊）抖音百科
行业定位：欧洲第一大半导体 IDM 厂商、全球功率半导体龙头、全球头部汽车电子芯片供应商，主营车规芯片、功率器件、碳化硅 SiC、工业控制、安全芯片、MCU 微控制器等电子元器件中华人民共...
四大核心业务板块
汽车电子 ATV：营收占比超 50%，车载 IGBT、SiC、车规 MCU、驱动芯片、BMS，2023 年登顶全球汽车 MCU 份额第一
零碳工业功率 GIP：光伏、风电、储能、工业变频器 IGBT/MOSFET、碳化硅模块
电源与传感 PSS：消费电源、快充 GaN、传感器、电机驱动
安全互联 CSS：加密芯片、金融 IC 卡、物联网安全芯片、通信蓝牙（收购赛普拉斯拓展）
核心优势
拥有完整硅基、碳化硅 SiC、氮化镓 GaN 产线，自研 CoolMOS、IGBT7、SiC MOSFET 核心技术；产品覆盖新能源汽车、光伏储能、工控、快充、智能家居全场景，车规芯片可靠性行业标杆，全球配套主流车企与 Tier1 供应商。
中国布局
国内设上海总部、无锡晶圆厂、西安研发中心、多地分拨与实验室，推行 “在中国、为中国” 本土化研发生产战略英飞凌
二、完整发展史
1. 前身：西门子半导体积淀（1969–1999）
1847 年西门子集团成立；1969 年西门子正式组建半导体事业部，为英飞凌技术根基，深耕功率器件、工业芯片数十年，积累大量电力电子专利与车规技术储备。
2. 独立拆分与上市（1999–2002）
1999.4.1：西门子分拆半导体业务，英飞凌 Infineon 正式独立，初期中文名为 “亿恒科技”抖音百科
2000：法兰克福交易所上市（股票代码 IFX），西门子逐步减持退出
2002：统一中文品牌名英飞凌，沿用至今
3. 业务剥离，聚焦功率与汽车（2006–2013）
2006：内存业务独立为子公司奇梦达 Qimonda，彻底剥离存储赛道，集中资源做功率、汽车、安全芯片
2010：出售无线通信业务给英特尔，精简非核心产品线
4. 重磅并购，巩固功率龙头地位（2014–2019）
2014：30 亿美元收购国际整流器 IR，补强 MOSFET、氮化镓 GaN、工业电源产品线，全球功率器件份额大幅提升
2019：宣布 90 亿欧元收购美国赛普拉斯 Cypress，补齐 MCU、存储、物联网连接芯片短板
5. 全品类扩张，领跑电动化时代（2020–至今）
2020.4：完成赛普拉斯收购，跻身全球前十半导体厂商，汽车电子产品线完整闭环抖音百科
2023：拿下全球汽车 MCU 市场份额第一；SiC 碳化硅芯片营收高速增长，配套特斯拉、比亚迪等车企
2024：马来西亚碳化硅第三工厂量产，扩充第三代宽禁带产能；持续加码车载 SiC、工业储能芯片
2026：深化中国本土化研发与制造，落地上海创新空间，加速新能源国产供应链配套英飞凌
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描述:
晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，高频应用
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，100V/40A
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微控制器(MCU)32位MCU，ARM Cortex-M0内核
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，100V/80A
3575
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描述:
晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，75V/82A
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，60V/12A
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，60V/14A
3567
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晶体管(IGBT驱动)IGBT栅极驱动芯片，高速
3556
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，60V/75A
3536
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描述:
晶体管(IGBT驱动)IGBT栅极驱动芯片，高速
3529
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，30V/53A
3527
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描述:
晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，高频应用
3535
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，30V/64A
3537
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描述:
晶体管(MOSFET)P沟道MOSFET，20V/4.2A
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晶体管(MOSFET)P沟道MOSFET，20V/2.3A
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，60V/100A
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晶体管(IGBT驱动)IGBT栅极驱动芯片，1200V
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，30V/60A
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，100V/40A
3446
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描述:
晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，20V/95A
3456
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，30V/49A
3455
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晶体管(MOSFET驱动)高侧MOSFET驱动芯片，大电流
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，400V/21A
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二极管(ESD防护)5.3V ESD防护二极管，双通道
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，高频应用
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晶体管(IGBT)IGBT模块，1700V/400A，高功率密度
3391
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晶体管(MOSFET)N沟道MOSFET，200V/18A，功率型
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