技术参数/耗散功率: 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/输入电容(Ciss): 4250pF @30V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 15.49 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUP90N08-6M8P-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
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SUP90N08-6M8P-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB
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SUP90N08-7M7P-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V
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SUP90N08-7M7P-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
MOSFET 75V 90A 208.3W 7.7mohm @ 10V
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