技术参数/电源电压(DC): 3.30 V, 3.60 V (max)
技术参数/时钟频率: 33.0 MHz, 33.0 MHz (max)
技术参数/存取时间: 33.0 µs
技术参数/内存容量: 4000000 B
技术参数/电源电压: 3V, 3.3V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC
外形尺寸/封装: SOIC
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
AT45DB041D-SU
|
Microchip (微芯) | 功能相似 | SOIC-8 |
AT45DB041D-SU 管装
|
||
AT45DB041D-SU
|
ATMEL (爱特美尔) | 功能相似 | SOIC-8 |
AT45DB041D-SU 管装
|
||
AT45DB041E-SHN-B
|
Adesto Technologies | 功能相似 | SOIC-8 |
ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB041E-SHN-B 闪存, 串行, 4 Mbit, 2048 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
|
||
AT45DB041E-SHN-B
|
ETC2 | 功能相似 |
ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB041E-SHN-B 闪存, 串行, 4 Mbit, 2048 页 x 256字节, 85 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
|
|||
|
|
ETC2 | 功能相似 |
Adesto ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价