技术参数/电源电压(DC): 4.50V (min)
技术参数/工作电压: 4.5V ~ 5.5V
技术参数/供电电流: 25 mA
技术参数/针脚数: 32
技术参数/位数: 8
技术参数/存取时间: 70 ns
技术参数/内存容量: 250000 B
技术参数/存取时间(Max): 70 ns
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 4.5V ~ 5.5V
技术参数/电源电压(Max): 5.5 V
技术参数/电源电压(Min): 4.5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 32
封装参数/封装: TSOP-32
外形尺寸/长度: 12.5 mm
外形尺寸/宽度: 8.1 mm
外形尺寸/高度: 1.05 mm
外形尺寸/封装: TSOP-32
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
其他/制造应用: 计算机和计算机周边, 通信与网络, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, 消费电子产品, 工业, Industrial, Communications & Networking
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SST39SF020A-70-4C-WH
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Silicon Storage Tech | 功能相似 | TSOP |
Flash, 256KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14MM, MO-142BA, TSOP1-32
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Silicon Storage Tech | 类似代替 | TSOP |
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器 Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。 ### 特点 4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
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SST39SF020A-70-4I-WH
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Silicon Storage Tech | 功能相似 | TSOP |
Flash, 256KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14MM, MO-142BA, TSOP1-32
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