技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 5W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 2385pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 5W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2305ADS-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
MOSFET 8V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V
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SI5980DU-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | ChipFET-8 |
MOSFET 100V 2.5A 7.8W 0.567Ω @ 10V
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SIR168DP-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
Mosfet n-Ch 30V 40A Ppak So-8
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SIR168DP-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
Mosfet n-Ch 30V 40A Ppak So-8
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