技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 1.00 A
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.364 Ω
技术参数/极性: Dual N-Channel
技术参数/耗散功率: 900 mW
技术参数/阈值电压: 1.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.00 A
技术参数/上升时间: 7 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 77pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1.25 W
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOT-23-6
外形尺寸/长度: 2.9 mm
外形尺寸/宽度: 1.6 mm
外形尺寸/高度: 0.95 mm
外形尺寸/封装: TSOT-23-6
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电机驱动与控制, Motor Drive & Control, 工业, 嵌入式设计与开发, Power Management, Industrial, 电源管理, Alternative Energy, 替代能源, Embedded Design & Development
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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