技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 1.50 A
技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 240 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 800 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.50 A
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 80pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 800 mW
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 320mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/长度: 2 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 0.82 mm
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RTF025N03TL
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 类似代替 | SOT-323-3 |
N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3
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