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型号: PHT6N06T
描述: TrenchMOS™ standard level FET
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封 装: SOT-223
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包装方式: Cut Tape (CT)
标准包装数: 1
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技术参数/漏源极电阻: 150 mΩ

技术参数/耗散功率: 8.3 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: SOT-223

外形尺寸/封装: SOT-223

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BUK78150-55A BUK78150-55A Philips (飞利浦) 类似代替
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NXP BUK78150-55A 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V
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NXP PHT6N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 V
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NXP PHT6N06LT 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 5 V, 1.5 V
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Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
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