技术参数/耗散功率: 875000 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 65 V
技术参数/增益: 6.3 dB
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10 @500mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 875 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 875000 mW
封装参数/安装方式: Screw
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: M103
外形尺寸/高度: 5.46 mm
外形尺寸/封装: M103
物理参数/工作温度: 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microchip (微芯) | 功能相似 |
Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216
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Advanced Power Technology | 功能相似 |
Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216
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MS2422
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | M138 |
Trans RF BJT 65V 22A 4Pin Style M138
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Microchip (微芯) | 功能相似 |
射频与微波晶体管 RF & MICROWAVE TRANSISTORS
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