技术参数/耗散功率: 19400 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 25 V
技术参数/增益: 10 dB
技术参数/额定功率(Max): 19.4 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 19400 mW
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: M-122
外形尺寸/高度: 16.26 mm
外形尺寸/封装: M-122
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Advanced Semiconductor | 功能相似 |
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
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