技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @100mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Ammo Pack
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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CJ (长电科技) | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06
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Diotec Semiconductor | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06
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Multicomp | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06
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NTE Electronics | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-54-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE
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MPSA06-AP
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Micro Commercial Components (美微科) | 类似代替 | TO-226-3 |
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MPSA06-AP 双极性晶体管, NPN, 80V, TO-92
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