技术参数/额定电压(DC): -60.0 V
技术参数/额定电流: -500 mA
技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @1mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Continental Device | 功能相似 | TO-92 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,
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MPS8598
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,
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MPS8598
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP,
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||
MPS8598RLRA
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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