技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/直流电流增益(hFE): 80
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Power Management, Automotive, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2PD601AQW,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323-3 |
UMT NPN 50V 0.1A
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BCR158W
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-323 |
PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)
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MMUN2113LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMUN2113LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
|
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PDTA123JK,115
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MPAK PNP 50V 100mA
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Nexperia (安世) | 功能相似 | 3 |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin TO-236AB
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin TO-236AB
|
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PDTA144ET
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3Pin TO-236AB
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PDTA144ET,215
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-23-3 |
NXP PDTA144ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 80 hFE
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