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型号: PMV40UN@215
描述: PMV40UN@215
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技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 1.90 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 30.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 4.90 A

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY (威世) 功能相似 SOT-23-3
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix 功能相似 SOT-23-3
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 TO-236
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
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SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Intertechnology 功能相似 TO-236
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
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SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY (威世) 功能相似 SOT-23-3
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Intertechnology 功能相似 SOT-23-3
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Siliconix 功能相似 SOT-23-3
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 TO-236
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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