技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 1.30 A
技术参数/额定功率: 1.3 W
技术参数/针脚数: 4
技术参数/漏源极电阻: 0.27 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.3 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/输入电容: 490pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.30 A
技术参数/上升时间: 64.0 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 490pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1.3 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: DIP
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 6.29 mm
外形尺寸/高度: 3.37 mm
外形尺寸/封装: DIP
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Power Management, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLD110PBF
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | DIP-4 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
|
||
IRLD110PBF
|
Vishay Precision Group | 类似代替 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
|
|||
IRLD110PBF
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | DIP-4 |
N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
|
||
IRLD120
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
|
|||
IRLD120
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
|
|||
IRLD120
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | DIP-4 |
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价