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型号: PHC2300,118
描述: NXP PHC2300,118 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 170 mA, 300 V, 6 ohm, 10 V, 2 V
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Cut Tape (CT)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数: 8

技术参数/漏源极电阻: 6 Ω

技术参数/极性: N-Channel, P-Channel

技术参数/耗散功率: 1.6 W

技术参数/阈值电压: 2 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 300 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 340 mA

技术参数/输入电容(Ciss): 102pF @50V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 1.6 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1.8 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.45 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Cut Tape (CT)

其他/制造应用: Power Management, 消费电子产品, 工业, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Consumer Electronics, 电源管理

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PHC2300 PHC2300 NXP (恩智浦) 功能相似 SO
Complementary enhancement mode MOS transistors
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