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封装参数/封装: -
外形尺寸/封装: -
其他/栅极电压Vgs: 2.5V@1mA
其他/Vgs(最大值): ±20V
其他/连续漏极电流Id: 26A(Ta),80A(Tc)
其他/漏源极电压Vds: 30V
其他/栅极电荷Qg: 175nC@10V
其他/RdsOn(Max)@Id,Vgs: 3.1mOhm@26A,10V
其他/工作温度: 150℃(TJ)
其他/封装/外壳: 8-HSOP
其他/FET类型: P-Channel
其他/Pd-功率耗散(Max): 3W(Ta)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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