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描述: IC 256M PAGE-MODE FLASH MEMORY, LAE064
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其他/RoHS 状态: 符合 ROHS3 规范

其他/湿气敏感性等级 (MSL): 3(168 小时)

其他/REACH 状态: 非 REACH 产品

其他/ECCN: 3A991B1A

其他/HTSUS: 8542.32.0071

其他/制造商: Cypress Semiconductor Corp

其他/系列: GL-P

其他/包装: 托盘

其他/零件状态: 停产

其他/存储器类型: 非易失

其他/存储器格式: 闪存

其他/技术: FLASH - NOR

其他/存储容量: 256Mb(32M x 8)

其他/存储器接口: 并联

其他/写周期时间 - 字,页: 90ns

其他/访问时间: 90 ns

其他/电压 - 供电: 2.7V ~ 3.6V

其他/工作温度: 0°C ~ 85°C(TA)

其他/安装类型: 表面贴装型

其他/封装/外壳: 64-LBGA

其他/供应商器件封装: 64-FBGA(9x9)

符合标准/RoHS标准:

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