技术参数/电源电压(DC): 2.70V (min)
技术参数/针脚数: 64
技术参数/存取时间: 110 ns
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/电源电压: 2.7V ~ 3.6V
技术参数/电源电压(Max): 3.6 V
技术参数/电源电压(Min): 2.7 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 64
封装参数/封装: FBGA-64
外形尺寸/封装: FBGA-64
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Spansion (飞索半导体) | 功能相似 | LBGA |
IC FLASH MEM 2GBIT 64BGA
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S70GL02GS11FHI010
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Cypress Semiconductor (赛普拉斯) | 完全替代 | FBGA-64 |
串行 SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S70GL02GS11FHI010
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | FBGA-64 |
串行 SPI NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor 高性能 低引脚计数四路 SPI（串行外围设备接口） ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。
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S70GL02GS11FHI020
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Spansion (飞索半导体) | 完全替代 | FBGA |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2Gbit 256M/128M x 8Bit/16Bit 110ns 64Pin FBGA Tray
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S70GL02GS12FHIV10
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Cypress Semiconductor (赛普拉斯) | 功能相似 | FBGA-64 |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2G-bit 256M x 8/128M x 16 120ns 64Pin FBGA Tray
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