技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/连续漏极电流(Ids): 8.00 mA
技术参数/击穿电压: 25 V
技术参数/输入电容(Ciss): 5pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BFR31,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET，NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR MMBFU310LT1G 晶体管, JFET, JFET, 25 V, 24 mA, 60 mA, 6 V, SOT-23, JFET
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PMBFJ108,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PMBFJ108,215 晶体管, JFET, JFET, -25 V, 80 mA, -3 V, SOT-23
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