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技术参数/电源电压(DC): 2.50V (min)
技术参数/输出电流: ≤10 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/耗散功率: 142 mW
技术参数/共模抑制比: 88 dB
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): 40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 710 mW
技术参数/电源电压(Max): 16 V
技术参数/电源电压(Min): 2.5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/高度: 1.58 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TLV3701CD
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
家庭的纳安级推挽式输出比较 FAMILY OF NANOPOWER PUSH-PULL OUTPUT COMPARATORS
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TLV3701ID
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
TLV 系列低电压比较器 ### 比较器，Texas Instruments Texas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装，还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备，但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作，附带适当反馈，而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟，且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压，且很多比较器具有开路集电极输出，从而可与其他设备并联操作。
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