技术参数/额定功率: 1 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 3 Ω
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/阈值电压: 2.4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/上升时间: 5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 50pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/下降时间: 5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6660
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
|
||
2N6660
|
Solid State | 功能相似 | TO-205 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
|
||
|
|
NJS | 功能相似 |
晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 410 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2 V
|
|||
2N7002-7-F
|
Multicomp | 功能相似 | SOT-23 |
MULTICOMP 2N7002-7-F 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2Ω, 115mA, SOT-23
|
||
BS170
|
GE (通用电气) | 功能相似 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
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|||
BS170
|
onsemi/安森美 | 功能相似 | TO-92 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
|
||
BS170
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
|
||
BS170
|
Major Brands | 功能相似 | TO-92 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
|
||
ZVP2106A
|
Zetex | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
|
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ZVP2106A
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
|
||
ZVP2106A
|
Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVP2106A 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -60 V, 4 ohm, -10 V, -3.5 V
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