技术参数/正向电压: 1V @6A
技术参数/耗散功率: 12000 mW
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 175 A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 12000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SIP-4
外形尺寸/长度: 22.3 mm
外形尺寸/宽度: 3.56 mm
外形尺寸/高度: 18.8 mm
外形尺寸/封装: SIP-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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HY | 功能相似 | GBU |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
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GBU608
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PINGWEI (平伟) | 功能相似 | GBU |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
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GBU608
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Good-Ark Electronics (固锝) | 功能相似 | GBU |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
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GBU608
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RFE International | 功能相似 |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
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GBU608
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | Case GBU |
Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
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Leshan Radio (乐山无线电) | 功能相似 | GBU |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 800V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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GBU6K
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Panjit (强茂) | 功能相似 | GBU-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 800V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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GBU6K
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GeneSiC Semiconductor | 功能相似 | SIP-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 800V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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GBU6K
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SIP-4 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 4.2A, 800V V(RRM), Silicon, 20.80 X 18MM, 3.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4
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GBU6K-BP
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 | SIP-4 |
桥式整流器 6A 800V
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GBU6K-E3/45
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VISHAY (威世) | 类似代替 | GBU-4 |
VISHAY GBU6K-E3/45 二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 6 A, SIP, 1 V, 4 引脚
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GBU6K-E3/45
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Vishay Dale (威世达勒) | 类似代替 |
VISHAY GBU6K-E3/45 二极管 桥式整流, 单相, 800 V, 6 A, SIP, 1 V, 4 引脚
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Micro Commercial Components (美微科) | 功能相似 |
800V 6A
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Gulfsemi | 类似代替 |
桥式整流器器 Bridge Rectifiers
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KBU6K
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GeneSiC Semiconductor | 类似代替 | SIP-4 |
桥式整流器器 Bridge Rectifiers
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KBU6K
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | KBU-4 |
桥式整流器器 Bridge Rectifiers
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