技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 60 @2A, 2V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-205
外形尺寸/封装: TO-205
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5 |
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3Pin TO-5
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JAN2N6193
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Semicoa Semiconductor | 完全替代 | TO-39 |
Trans GP BJT PNP 100V 5A 3Pin TO-39
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JANTX2N6193
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-39-3 |
JANTX Series 100V 5A Through Hole PNP Medium Power Silicon Transistor - TO-39
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