技术参数/漏源极电阻: 0.76 Ω
技术参数/耗散功率: 3.1 W
技术参数/输入电容: 250pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/漏源击穿电压: 100 V
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-223
外形尺寸/长度: 6.7 mm
外形尺寸/封装: SOT-223
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-261-4 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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IRFL110TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-223 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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IRFL110TRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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IRFL110TRPBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-223-3 |
VISHAY IRFL110TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 540 mohm, 10 V
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IRLL110
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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IRLL110
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SOT-223-3 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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IRLL110TR
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-223 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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IRLL110TR
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-261-4 |
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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IRLL110TRPBF
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-261-4 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL110TRPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-223 |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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