技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 16.0 A
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/产品系列: IRG4BC20KD-S
技术参数/上升时间: 34.0 ns
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/反向恢复时间: 37 ns
技术参数/额定功率(Max): 60 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/高度: 9.65 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC20KD-S
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-263-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRG4BC20KD-S
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-263-3 |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRG4BC20KDSTRLP
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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IRG4BC20KDSTRRP
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263 |
IGBT 模块 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
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