技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 16.0 A
技术参数/耗散功率: 60.0 W
技术参数/上升时间: 34.0 ns
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 600 V
技术参数/反向恢复时间: 37 ns
技术参数/额定功率(Max): 60 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRG4BC20KD-SPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-263-3 |
Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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IRG4BC20KD-SPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 | TO-263-3 |
Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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IRG4BC20KD-STRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | D2PAK |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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